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Samsung 970 EVO Plus M.2 2000 GB PCI Express 3.0 V-NAND MLC NVMe
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Estilo: SSD interno
Número de artículo: 2099060488

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Número de artículo20990604882101072933209788207820990850792101078917
En oferta desde18.04.202428.06.202513.05.201724.05.201904.01.2024
Precio282,39 EUR285,99 EUR27,29 EUR112,49 EUR173,59 EUR
Peso8 g720 g41 g10 g750 g
FabricanteSamsungSynologyKingstonCorepartsWestern Digital / Hgst
CategoríaHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/Electronic
Ancho80,2 mm101,8 mm100 mm30,1 mm101,6 mm
Profundidad22,1 mm147 mm69,9 mm26,8 mm147 mm
Altura2,38 mm26,1 mm7 mm3,5 mm26,1 mm

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Contenido:

Descripción:Die mit modernster V-NAND-Technologie ausgestattete 970 EVO Plus ist noch schneller als die 970 EVO und verfügt zudem über eine Firmware-Optimierung. Damit reizt sie das Potential der PCIe-Schnittstelle und des NVMe? Protokolls für noch schnellere Zugriffszeiten voll aus. Bei einer Speicherkapazität von 2 TB beträgt die spezifizierte Gesamtschreibdatenmenge (TBW = Total Bytes Written) 1.200 TB TBW. Leistung auf dem nächsten Level Mit bis zu 3.500 MB/s1 Lese- und bis zu 3.300 MB/s2 Schreibgeschwindigkeit ist die 970 EVO Plus bis zu 53%3 schneller als das Vorgängermodell 970 EVO. Die neueste Generation der V-NAND-Technologie sorgt für eine herausragende Leistung und verbesserte Energieeffizienz. Zusätzlich zeichnet sich die 970 EVO Plus durch optimierte Firmware, den bewährten Phoenix-Controller sowie die Intelligent TurboWrite-Technologie für die Beschleunigung von Schreibvorgängen aus. Flexibilität durch gutes Produktdesign Die 970 EVO Plus zeigt die Weiterentwicklung im Bereich der NVMe?
schwarz, PCIe Gen 3 x4, M.2 2280, intern
-Lesen: 3500 MB/s, Schreiben: 3300 MB/s
-Lesen: 620000, Schreiben: 560000
-2 TB
Manufacturer-Nr.: MZ-V7S2T0BW
La unidad de estado sólido (SSD) Samsung?970 EVO Plus NVMe M.?2 -? ?de? ?dos terabytes? ?(modelo:? ?MZ-?V7S??T?BW) ofrece almacenamiento avanzado y alto rendimiento para usuarios exigentes que buscan velocidad máxima y gran capacidad sin sacrificar fiabilidad ni eficiencia energética?. Con interfaz PCI Express®??3.?0 y tecnología avanzada V?NAND tipo multi-level cell desarrollada por el líder mundial coreano del sector electrónico??Samsung?esta unidad alcanza velocidades secuenciales impresionantes hasta los?3500?MB/segundo lectura y hasta los?3300?MB/segundo escritura dentro del formato compacto estándar para equipos compatibles con protocolo moderno NVMe como laptops ultradelgados estaciones profesionales o potentes ordenadores gaming?. Sus dos terabytes permiten almacenar cómodamente grandes bibliotecas multimedia videojuegos pesados o proyectos creativos/profesionales complejos como edición audiovisual o análisis masivo de datos??????? ?¡sin límites ni preocupaciones
N° de fabricante: MZ-V7S2T0BW
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